河北普兴电子8英寸 GaN-on-Si 产线升级与半导体材料前沿研发布局

产线升级与设备自动化扩容

为迎合全球功率半导体向大尺寸晶圆演进的趋势，河北普兴电子完成了新一代8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片专线升级。产线引入了国际顶尖的MOCVD外延集群设备与全自动盒对盒（Cassette-to-Cassette）晶圆传输系统，彻底消除了人工操作带来的颗粒污染，实现了从衬底预处理到外延生长的全过程智能化控制。

研发创新与核心技术专利

普兴电子研发团队深耕第三代半导体材料前沿，在“高阻GaN缓冲层生长技术”、“超晶格应力调控”以及“原位P型掺杂GaN帽层技术”等领域取得了重大技术突破，已获得数十项国家发明专利授权。最新产线实测抽检数据显示，批量生产的8英寸GaN外延片在2DEG浓度均匀性（小于1.5%）与崩溃电压（大于1000V）两项核心指标上均刷新了国内量产纪录。

产学研合作与可靠性验证

依托国家级博士后科研工作站与省级半导体外延工程技术研究中心，普兴电子与多所顶尖高校及国家级科研院所建立了紧密的产学研合作关系。公司建立有完善的可靠性验证实验室，可提供包括HTRB（高温反向偏压）、HTGB（高温栅极偏压）以及高湿热循环在内的外延级可靠性评估服务，全方位保障下游芯片的长期运行稳定。

交付保障与未来产能规划

本次升级完成后，普兴电子8英寸GaN-on-Si外延片月产能提升了150%，显著缓解了国内高端车规级与工业级GaN外延基材的供货紧张局面。公司承诺为全球客户提供快速样品响应与灵活的定制化开发服务，助力下一代高频高效功率器件的商业化普及。