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鸿远电子,共创未来

多层瓷介电容器研制

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高Q、ESR和自谐振频率怎么一起看

高Q、低ESR和较高自谐振频率常用于描述射频电容,但三者都与频率、容量、尺寸和测试方法有关。选鸿远电子射频微波瓷介电容器时,应在目标频点读取曲线,并确认夹具、偏置和温度,不能把不同测试条件下的单点数字直接比较。三个参数的关系Q值反映储能与损耗的比例,ESR代表等效串联损耗,自谐振频率是容性与寄生电感共同作用的转折点。工作频率接近或超过自谐振点时,器件不再呈现理想电容行为。参数阅读表参数查看方式

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企业新闻

鸿远电子硅电容系列公开进展与选型核验清单

鸿远电子在2026年公开业绩说明中披露已推出硅电容系列,并将硅电容和多层芯片电容器作为微组装方向的研发内容。公开信息没有给出完整容量、电压、尺寸和温度表,因此该系列适合先做方案咨询与样品验证,不宜仅凭新闻描述直接替代现有物料。公开信息可以确认的事实公司披露的研发方向包括硅电容、高温多层芯片电容器和超小尺寸多层芯片电容器。民用品类拓展也列入硅基电容。上述内容说明产品方向和研发进展,但没有公开具体

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企业新闻

MCU模数转换精度不足的排查步骤

MCU模数转换结果波动或精度不足时,应检查参考电压、模拟源阻抗、采样时间、时钟、接地、布局、校准和软件换算。鸿立芯MCU具体ADC结构与指标需以型号手册为准,项目应在目标板和实际传感器条件下验证。先区分静态误差与噪声固定偏差可能来自参考、增益或换算,随机波动可能来自电源、数字耦合或采样窗口。先用稳定信号源和短接输入建立测试基线。排查表环节检查内容验证方法参考电压、噪声和去耦同步测量参考端输入源

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企业新闻

MCU时钟与复位电路调试要检查哪些波形

MCU无法稳定启动或偶发复位时,应同时检查电源斜率、复位脉宽、时钟起振、欠压状态、看门狗、启动配置和干扰耦合。鸿立芯具体MCU的门限与时序应以型号手册为准,不能用其他芯片经验值直接替代。启动链条要按时间展开电源建立、复位释放、时钟稳定和程序取指存在先后关系。示波器应同时捕获关键电源、复位和时钟,单独查看某一条波形可能遗漏相互关系。波形检查表节点观察量常见问题电源斜率、跌落、纹波和过冲门限附近抖

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